Высокотемпературная сверхпроводимость на границе раздела купрат лантана / никелата лантана, легированного стронцием
Секция: Технические науки
XV Студенческая международная научно-практическая конференция «Технические и математические науки. Студенческий научный форум»
Высокотемпературная сверхпроводимость на границе раздела купрат лантана / никелата лантана, легированного стронцием
В последние годы исследование эффектов взаимодействия в оксидных структурах привело к беспрецедентному улучшению свойств материалов и даже к появлению неожиданных функциональных возможностей.
Такое живое поле обеспечивает разрушительные возможности для разработки устройств следующего поколения с наноразмерной структурой [1].
Подход к разработке оксидных материалов посредством преднамеренного использования межфазных свойств получил раннее развитие в области ионных и смешанных ионно-электронных проводников [2,3], которые в настоящее время имеют решающее значение для разработки устройств для накопления и преобразования энергии [4].
Здесь могут возникать массовые отклонения концентрации подвижных ионных и электронных частиц на материальных неоднородностях (например, границах зерен и дислокациях) по сравнению с объемом (т.е. без разрывов) ситуация, приводящая в некоторых случаях к огромным изменениям в общих функциональных возможностях рассматриваемой системы [5,6]. Было показано, что такие ситуации можно в значительной степени объяснить в свете теории пространственного заряда [7,8]. В последнее время аналогичный подход был реализован в тонкопленочных гетероструктурах (обладающих хорошо контролируемой геометрией и превосходным качеством), которые допускается эпитаксиальное соединение огромного количества материалов. Эта концепция привела к появлению неожиданных свойств на границе раздела, включая электропроводность на границе раздела [9,10], магнетизм [11,12], сверхпроводимость [13,14] и высокотемпературную сверхпроводимость [15,16]. Такие эффекты, которые обычно ограничиваются несколькими нанометрами на границе раздела и которые не принадлежат к одной составляющей фазе, были приписаны различным явлениям, включающим, среди прочего, эпитаксиальную деформацию, перенос электронного заряда и катионную и анионную локальную нестехиометрию.
Мы представляем здесь всестороннее исследование структурных и функциональных свойств гетероструктур, состоящих из купрата лантана (La2CuO4-LCO) и никелата лантана, легированного стронцием (La2-xSrxNiO4-LSNO), изготовленного послойным атомным слоем, молекулярно-лучевая эпитаксия (ALL-MBE), и демонстрируем, что высокотемпературная сверхпроводимость (сверхпроводящая критическая температура TC до ≈ 40 K) может индуцироваться в LCO при контакте с LSNO, даже если ни одна из двух фаз не обладает сверхпроводимостью как таковой.
В то время как хорошо известно, что LCO претерпевает переход изолятор-высокотемпературный сверхпроводник при дырочном (h*) легировании (это обычно достигается в объемном виде путем введения легирующих примесей кислорода или акцептора – нулевого или гомогенного легирования) [18,19] недавние эксперименты касались возникновения локальной высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в LCO как следствие эффекта на границе фаз (двумерное или гетерогенное легирование) [16]. Однако до сих пор это ограничивалось гомоэпитаксиальными системами, в которых только используемая фаза была на основе LCO (например, межповерхностный ВТСП в двухслойных и сверхрешетках LCO / LCO легированных Sr, или в двумерной LCO): [15-17] Здесь вместо этого впервые показано, что межповерхностный ВТСП может индуцироваться в LCO также при гетероэпитаксиальном контакте с LSNO. Кроме того, мы раскрываем, что конечные сверхпроводящие свойства интерфейса LCO / LSNO можно эффективно настроить, просто изменив структурные параметры (уровень легирования x фазы никелата, последовательность слоев и расстояние между ними), оставив стехиометрию LCO неизменной, в отличие от «классическая» объемная картина.
Наконец, сверхпроводимость рационализируется путем рассмотрения механизма накопления дырок на границе раздела, основанного на локальном катионном перемешивании, а также на соображениях пространственного заряда.