Статья:

Разработка рабочего места по подстройке параметра UCL микросхемы контроллера горячей замены К5329ЕУ034

Конференция: XXIX Студенческая международная научно-практическая конференция «Технические и математические науки. Студенческий научный форум»

Секция: Технические науки

Выходные данные
Воробьев В.С. Разработка рабочего места по подстройке параметра UCL микросхемы контроллера горячей замены К5329ЕУ034 // Технические и математические науки. Студенческий научный форум: электр. сб. ст. по мат. XXIX междунар. студ. науч.-практ. конф. № 6(29). URL: https://nauchforum.ru/archive/SNF_tech/6(29).pdf (дата обращения: 16.06.2021)
Лауреаты определены. Конференция завершена
Эта статья набрала 0 голосов
Мне нравится
Дипломы
лауреатов
Сертификаты
участников
Дипломы
лауреатов
Сертификаты
участников
на печатьскачать .pdfподелиться

Разработка рабочего места по подстройке параметра UCL микросхемы контроллера горячей замены К5329ЕУ034

Воробьев Вячеслав Сергеевич
студент, Новосибирский государственный технический университет, РФ, г. Новосибирск
Лаптев Дмитрий Владимирович
научный руководитель, канд. техн. наук, доцент, Новосибирский государственный технический университет, РФ, г. Новосибирск

1. Состав рабочего места и комплектность

1.1 Комплектность  приведёна в таблице 1.

Таблица 1.

Комплектность

Позиция

Наименование и маркировка составной части

Количество

Примечание

1

Плата коммутатора СММ5.812.820

1 шт.

рисунок 1

2

Источник питания 48В ±1% (U1)

1 шт.

 

3

Источник питания регулируемый в диапазоне от 0,01В до 1В (U2) точность установки напряжения - 1%

1 шт.

 

4

Зонд: SUMMIT 12000M

1 шт.

 

Лайзер EzLaze 3 532/355NM

1 шт.

 

1.2 Изучить схему включения ИС К5329ЕУ034 при измерении напряжения схемы ограничения по току UCL, скорости переключения tSENSE , которая представлена на рисунке 1. Изучить принципиальную схему платы коммутатора СММ5.812.820, представленную на рисунке 2.

 

Рисунок 1. Схема включения микросхемы К5329ЕУ034

DA1 – микросхема К5329ЕУ034;

C1 – конденсатор керамический К10-17Б-50В-10нФ;

G1 – при измерении UCL: генератор линейно меняющегося сигнала 0…100 мВ соответствии с диаграммой приведенной ниже, скорость нарастания не более 0,1 В/с, абсолютная погрешность установки ± 0,3 мВ;

– при измерении tSENSE: генератор прямоугольных импульсов 0…100 мВ, скорость нарастания не менее 10 мВ/нс;

P1 – Осциллограф двухканальный, полоса пропускания не менее 100МГц;

U1 – источник постоянного напряжения 48 В ± 1%;

U2 – источник постоянного напряжения 6,3 В ± 1%.

 

Рисунок 2. Принципиальная схема платы коммутатора СММ5.812.820.

 

2. Подготовка к работе

2.1 Разместить на рабочем столе зонда и стойке: плату и источники питания. Подключить источники питания к сетевому фильтру, сетевой фильтр должен быть «заземлён» через евро-разъём.

2.2 Соединить между собой оборудование рабочего места в соответствии с рисунком 3. При этом полярность соединения для всех источников: контакты GND платы – минус источников. Перемычки: XS10-«таймер», XS3-«sense contr».  

 

Рисунок 3. Соединение источников питания и платы коммутатора СММ5.812.820 рабочего места

 

3. Порядок работы

3.1 Обслуживание рабочего места осуществляется одним оператором, изучившем данный раздел. Работать оператору с надетым на руку антистатическим браслетом.

3.2 Дальнейшие шаги этого раздела подразумевают, что полностью выполнен раздел 2 данного документа.

3.3 Измерение параметра UCL микросхемы производится по следующему алгоритму:

3.3.1 Вставить измеряемую микросхему в колодку коммутационного устройства платы XS11.

3.3.2 Установить на источнике питания U2 напряжение 0,01В.

3.3.3 Включить источники питания, должен загореться светодиод HL1.

3.3.4 Увеличивать напряжение на источнике U2 до тех пор, пока светодиод HL1 не погаснет или начнёт мигать. Реальное значение UCL рассчитывается по формуле:

UCL = U2/10 (В).                                                                                                       (1)

Нормы параметра UCL в переводе на напряжение источника U2: от 430мВ до 450 мВ.

3.3.5 Выключить источники питания, вынуть микросхему из колодки коммутационного устройства.

3.4. В случае, если в предыдущем пункте напряжение U2 не входит в нормы (значения получаются меньше), то необходима лазерная подстройка параметра UCL.

3.5 Лазерная подстройка параметра UCL ведётся путём увеличения сопротивления резистора R19 как показано на рисунке 4.

 

Рисунок 4. Фрагмент топологии кристалла микросхемы 5329ЕУ034 и расположение резисторов R19 (черными прямоугольниками обозначены места прожига этого резистора лазером).

 

3.6 Параметры лазера: «зелёный», мощность -30%, маска 20мкм×14мкм.

3.7 Нормы параметра UCL в переводе на напряжение источника U2: от 430мВ до 450 мВ.

3.8 Пример подстройки микросхем.

Воздействия:

В указанных на рисунке 4 резисторы были произведены вырезы масками, указанными в таблице 2. Мощность лазерного пучка:

- пониженный режим, мощность - 50%.

Таблица 2.

Параметры воздействий

Микросхема №

Верхний резистор

Нижний резистор

Ширина маски, мкм

Высота маски, мкм

Ширина маски, мкм

Высота маски, мкм

3

10

10

10

10

7

10

10

10

10

5

5

10

10

10

8

-

-

10

10

 

3.9 Сводная таблица.

До лазерной подгонки и после лазерной подгонки были произведены измерения, указанные в таблице 3.

Таблица 3.

Результаты измерения до и после лазерной подгонки (полученные с использованием формулы 1)

Микросхема №

UCL, мВ

∆, мВ

До подгонки

После подгонки

3

35,5

37,5

2

7

34,5

36,5

2

5

36,5

38,5

2

8

39,5

40,5

1

 

Примечание: проанализировав полученные результаты в таблицы 2 и 3, было выявлено, что при лазерной подгонке маска 10 на 10 параметр UCL увеличивается на 1 мВ. Для большего изменения этого параметра необходимо либо увеличивать размер маски, либо увеличивать количество дырок в резисторе. Из-за малых изменений параметра UCL использование маски размером 5 на 10 нецелесообразно.