Увеличение термоэлектрической добротности наноструктур за счет обработки фуллереном
Секция: Технические науки
лауреатов
участников
лауреатов
участников
XLI Студенческая международная заочная научно-практическая конференция «Молодежный научный форум: технические и математические науки»
Увеличение термоэлектрической добротности наноструктур за счет обработки фуллереном
Проблема термоэлектрического преобразования энергии поднимается в трудах многих российских и иностранных ученных: А.Ф.Иоффе, Меркури Канатзидиса (Mercouri Kanatzidis), Д.А. Бута, Ганг Чена (GangChen) и других[1].
Сегодня термоэлектрические материалы используются во многих областях человеческой деятельности: молекулярная биология, разнообразные лазеры, приборы ночного видения, температурные датчики, космонавтика. Например, в автоматической межпланетной станции (АМС) NASA NewHorizons, предназначенной для изучения Плутона и его естественного спутника Харона используются термоэлектрики, преобразующие тепло от распада радиоактивных изотопов в электричество. Точно также происходит и на межпланетном аппарате Cassini, разработанном в рамках программы по изучению исследования планеты Сатурн, его колец и спутников Cassini–Huygens[6].
Однако термоэлектрики не получили массового распространения из-за низкого КПД. Современные термоэлектрические генераторы (ТЭГи) способны выдавать 5–13% КПД, что явно недостаточно для их масштабного использования. Несмотря на это, они по-прежнему используются как дополнительные источники энергии в силу ряда причин: большой срок службы, высокая надежность, стабильность параметров, вибростойкость[7].
Увеличение КПД хотя бы до 15% способно значительно подстегнуть интерес общества к термоэлектрикам, придать исследованиям в данной области лавинообразный характер, а при КПД в 20% и больше можно будет с уверенностью говорить о самой настоящей термоэлектрической революции. Поэтому поиски эффективного термоэлектрика являются приоритетной задачей.
Эффективность термоэлектрического материала определяется таким показателем, как коэффициент термоэлектрической добротности. Коэффициент добротности представлен в виде безразмерного показателя ZT:
(1)
где T – абсолютная температура, α – коэффициент термоЭДС материала, σ – его электропроводность, а χ – теплопроводность[8].
К перспективным материалам для термоэлектрических изделий можно отнести: теллуриды висмута III (Bi2Te3), свинца(PbTe), германия(GeTe) и сурьмы III (Sb2Te3); селениды висмута III (Bi2Se3), сурьмы III (Sb2Se3) и гадолиния(GdSe); моносульфид самария (SmS), силицид магния (Mg2Si) [2].
Другим немаловажным требованием к материалу является возможность его массового производства, поэтому в погоне за термоэлектрической добротностью не следует забывать о себестоимости.
Перспективным и недорогим способом повышения термоэлектрической добротности является легирование наноструктур фуллереном. Суть метода заключается в измельчении металла до наночастиц с помощью механоактивационной обработки в высокоскоростной планетарной шаровой мельнице. Благодаря этому получаются нанозерна размером 5–10 нанометров(нм).
После этого к получившимся наноструктурам добавляют фуллерен C60 или иные наночастицы со слоистой структурой. За счет абсорбции наноструктры металлов быстро покрываются оболочкой из фуллерена. Подобные добавки способны не только препятствовать рекристаллизации – увеличению размеров наночастиц в процессе их обработки, но и управлять этими самыми размерами, что напрямую влияет на термоэлектрическую добротность. На рисунке 1 представлены наночастицы термоэлектриков на основе теллуридов сурьмы и висмута в оболочке из фуллерена.
Рисунок 1. Наночастицы полупроводника в оболочке из фуллерена С60: состав Bi0,5Sb1,5Te3 (a); состав Bi0,4Sb1,6Te3 (б)[3]
Получившиеся нанокомпозиты подвергают искровому спеканию или иным способам обработки для получения готового термоэлектрика. Стоимость такой обработки и результаты повышения термоэлектрической добротности представлены в таблице 1.
Таблица 1.
Повышение термоэлектрической добротности материалов с помощью обработки наноструктур фуллереном C60
Материал |
ZT до обработки |
ZT после обработки |
Изменение, % |
Bi0,5Sb1,5Te3 |
1,5 |
1,77 |
+18 |
Bi0,4Sb1,6Te3 |
1,7 |
1,955 |
+15 |
Составим матрицу SWOT-анализа, в которой отразим преимущества и недостатки описанного метода.
Таблица 2.
SWOT-анализ метода повышения термоэлектрической добротности с помощью обработки наноструктур фуллереном C60
S (Strengths, сильные стороны) |
W (Weaknesses, слабые стороны) |
Технологическая простота |
КПД ТЭГов по-прежнему невысок |
Низкая стоимость |
Производственное применение нанокомпозитных термоэлектриков исследовано не до конца |
O (Opportunities, возможности) |
T (Threats, угрозы) |
Возможность массового производства |
Удорожание и увеличение времени НИОКР |
Дополнительное увеличение ZT за счет комбинирования с другими методами повышения термоэлектрической добротности |
Возможно выявление новых нетривиальных проблем, связанных с производством и эксплуатацией полученных нанокомпозитов |
Описанный в статье метод разработан Университетом ИТМО совместно с Калифорнийским технологическим институтом (California Institute of Technology) в рамках Международной научной лаборатории «Прямое преобразование энергии и наноинжиниринг термоэлектрических структур» [5]. Также Университетом ИТМО совместно с ФТИ им. А.Ф.Иоффе выигран грант от Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ) на изучение наноструктур для эффективных термоэлектрических преобразователей энергии [4].